今天依斯倍環(huán)保將和你談?wù)?a class="attach inline_attach" href="http://m.woerqi.cn/projects/dzbdtf.html" target="_blank" title="電子元器件廢水處理">電子元器件廢水處理工程中MBR曝氣裝置的設(shè)計要點，希望對你的日常環(huán)保設(shè)備維護(hù)工作有所幫助。

1.電子元器件廢水處理工程中曝氣裝置可固定在池底(需要做膜組件支架和膜組件滑入導(dǎo)軌)，或與膜組件一起做，各有利弊。曝光氣管的位置要慎重考慮。每根膜片間隙對應(yīng)一穿孔管，穿孔尺寸為φ2.0mm ，穿孔間距為100mm。鄰接管道的穿孔位置交錯穿插，孔是單排垂直向上。可以使用雙行和傾斜方式。依斯倍認(rèn)為不可取，沉降污泥不會堵塞孔。

2.大致估計通氣量。依據(jù)經(jīng)驗數(shù)據(jù)，風(fēng)機(jī)排氣壓頭可按汽水比24:1(常規(guī)池深3.5m)選擇，比大液位高0.01兆帕；風(fēng)機(jī)出口設(shè)置排氣閥，排氣管口徑全開，排出70% 的空氣量。排氣口設(shè)有消音裝置，用來控制生化槽差量，保護(hù)風(fēng)機(jī)。

各膜組合曝氣設(shè)置有單獨的調(diào)節(jié)閥，而整個生化槽的充氧曝氣另作獨立控制閥，并采用微孔充氧曝氣裝置，保證了混合空氣和充氧空氣的靈活調(diào)節(jié)。

MBR池的控制在2.5~5ppm之間，正常的液位在3ppm左右，液位高低不同，不宜長時間超過5.0ppm。

上面是依斯倍環(huán)保小編和大家聊的電子元器件廢水處理工程中MBR曝氣裝置的設(shè)計要點，希望能對大家有所幫助。